Описание
Кремниевые эпитаксиально-планарные полевые транзисторы с изолированным затвором,
обогащением n-канала и встроенным обратносмещённым диодом.
Предназначены для использования в источниках вторичного электропитания с бестрансформаторным входом,
в регуляторах, стабилизаторах и преобразователях с непрерывным импульсным управлением,
схемах управления электродвигателями и другой радиоэлектронной аппаратуре.
Параметры и характеристики
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
