Описание
Транзисторы кремниевые полевые эпитаксиально-планарные с затвором на основе p-n перехода и каналом n-типа.
Предназначены для применения во входных каскадах усилителей высокой КП364Д, КП364Е
и низкой КП364А, КП364Б, КП364В, КП364Ж, КП364И частот с высоким входным сопротивлением.
Транзистор КП364Г предназначен для применения в зарядочувствительных усилителях.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается На корпусе.
Параметры и характеристики
Масса транзистора не более 0,3 г.
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
