Описание 2Т385АМ2Н
2Т385АМ2Н транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n переключательный. Предназначен для применения в системах памяти ЭВМ герметизированной аппаратуры.
Бескорпусные с гибкими выводами и защитным покрытием на керамическом (2Т385А-2, КТ385А - вариант 1)
и металлическом (2Т385АМ-2, КТ385АМ - вариант 2) кристаллодержателях.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей без извлечения из неё транзисторов
проводить измерения их электрических параметров.
Тип прибора указывается на сопроводительной таре.
Параметры и характеристики 2Т385АМ2Н
Масса транзистора на керамическом кристаллодержателе не более 0,015 г, на металлическом не более 0,004 г.
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
