Описание 2Т381Д1
2Т381Д1 транзисторы парные состоящие из двух кремниевых эпитаксиально-планарных структуры n-p-n транзисторов с раздельными выводами. Предназначены для применения в импульсных каскадах герметизированных микросхем.
Поставляются в сопроводительной таре, позволяющей производить измерение электрических параметров без извлечения из нее транзисторов.
Тип прибора указывается в этикетке.
Технические условия: ХА3.365.018 ТУ.
Параметры и характеристики 2Т381Д1
Масса каждого транзистора не более 0,01 г.
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
