2Т3115В2 транзистор

Каталог Транзисторы 2Т3115В2 транзистор

2Т3115В2 транзистор

Каталог Транзисторы 2Т3115В2 транзистор

Характеристики

n-p-n
КТ-22
Эпитаксиально-планарный
Кремний
58

Описание

Описание 2Т3115В2


2Т3115В2 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный с нормированным коэффициентом шума. Предназначен для применения во входных и последующих каскадах малошумящих усилителей сверхвысоких частот в составе гибридных интегральных микросхем, блоков аппаратуры, обеспечивающих герметизацию.
Тип прибора указывается в этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристалла на кристаллодержателе не более 0,008 г.
Тип корпуса: КТ-22.
Технические условия: аА0.339.105 ТУ.

Параметры и характеристики 2Т3115В2


• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток