КТ886Б1

КТ886Б1

Характеристики

n-p-n
1000
10
0.075
Эпитаксиально-планарный
Кремний
1000
-10...+100
7
4DE0M0TU0

Описание

Описание КТ886Б1


КТ886Б1 транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n переключательные, высоковольтные.
Предназначены для применения в генераторах строчной развёртки видеомодулей с повышенно информационной ёмкостью,
источниках вторичного электропитания.
КТ886БА1 и КТ886Б1 выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами, тип корпуса КТ-43В-2.
Масса транзистора не более 6 г. КТ886А1-5, КТ886Б1-5. Выпускаются в бескорпусном исполнении с контактными площадками,
без кристаллодержателя, без выводов, на общей пластине, кристаллы неразделённые.
Масса транзистора не более 0.03 г.

Параметры и характеристики КТ886Б1


• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
Платформа АЛЬФА:B2B