Характеристики

n-p-n
2
20
Эпитаксиально-планарный
Кремний
60
-40...+85
5
4DE0M0TTQ

Описание

Описание КТ823Б


Транзисторы кремниевые меза-эпитаксиально-планарные n-p-n универсальные низкочастотные мощные.
Предназначены для применения в усилителях низкой частоты, операционных и дифференциальных усилителях,
преобразователях и импульсных схемах.
Бескорпусные, с гибкими выводами, без кристаллодержателя, с защитным покрытием.
Каждый транзистор упаковывается в индивидуальную тару.
Обозначение типа приводится на сопроводительной таре.
Масса транзистора не более 0,02 г.

Параметры и характеристики КТ823Б


• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток