КТ8174Б

КТ8174Б

Характеристики

Кремний
4DE0M0TTI

Описание

Описание КТ8174Б


КТ8174Б транзистор мощный высоковольтный n-p-n биполярный. Предназначен для использования в импульсных источниках питания, пускорегулирующих устройствах и другой радиоэлектронной аппаратуре, изготавливаемой для народного хозяйства.

Параметры и характеристики КТ8174Б


• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
Платформа АЛЬФА:B2B