КТ6112В

КТ6112В

Характеристики

p-n-p
50
200...600
0.45
КТ-26
100
Эпитаксиально-планарный
Кремний
45
150
-45...+85
5
4DE0M0TT0

Описание

Описание


Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры p-n-p, усилительные, с нормированным коэффициентом шума.
Предназначены для применения в усилительных схемах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с жёсткими выводами, тип корпуса КТ-26.
Масса транзистора не более 0.3 г.

Параметры и характеристики


• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток