Характеристики

n-p-n
15
30
40...200
0.15
500
Эпитаксиально-планарный
Кремний
10
4DE0LA8VA

Описание

Описание


Транзисторы КТ306Г кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n
переключательные и усилительные с ненормированным коэффициентом шума,
граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером: не менее 500 МГц.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Заменять транзистор его аналогом следует в крайнем случае, с учетом его конкретной схемы применения и режима работы.

Параметры и характеристики


• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
Платформа АЛЬФА:B2B