1ТМ115Г транзистор

Каталог Транзисторы 1ТМ115Г транзистор

1ТМ115Г транзистор

Каталог Транзисторы 1ТМ115Г транзистор

Характеристики

p-n-p
70
0.1
0.05
1
Германий
55
85
-60...+60
50
4D20X2L1U

Описание

Описание


Транзисторы германиевые маломощные сплавные p-n-p.
Предназначены для работы в усилительных и импульсных микромодулях этажерочной конструкции.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе на керамической плате.
Обозначение типа приводится на корпусе транзистора.
Масса транзистора не более 0,8 г.

Параметры и характеристики


• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
Платформа АЛЬФА:B2B