Характеристики

30
0.03
0.1
120
Эпитаксиально-планарный
Кремний
30
120
-40...+85
4
4

Описание

Описание КТ358Б


КТ358Б транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные n-p-n усилительные высокочастотные маломощные.
Предназначены для применения в усилительных и генераторных схемах радиоэлектронной аппаратуры.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Обозначение типа приводится на корпусе.
Масса транзистора не более 0,2 г.

Параметры и характеристики КТ358Б


• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
Платформа АЛЬФА:B2B