Описание КТ637Б-2
Транзисторы КТ637Б-2 - кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n.
Предназначены для применения в режимах усиления мощности, генерации, ограничения мощности и преобразования частоты в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем, блоков и аппаратуры специального назначения.
Изготавливаются в бескорпусном исполнении.
Масса не более 0,15 г.
Параметры и характеристики КТ637Б-2
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
