Описание 2Т396А-2Н
2Т396А-2Н транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n усилительный с ненормированным коэффициентом шума. Предназначен для применения в усилителях сверхвысоких частот.
Бескорпусной на кристаллодержателе с гибкими выводами и защитным покрытием.
Выпускаются в сопроводительной таре.
Масса - не более 0,003 г.
Параметры и характеристики 2Т396А-2Н
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
