Описание
Транзисторы КТ316ВМ кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n универсальные.
Предназначены для применения в усилителях высокой частоты и переключающих устройствах.
Выпускаются в пластмассовом корпусе с гибкими выводами.
Тип приборов 2Т316(А-Д), КТ316(А-Д) указывается на корпусе, тип 2Т316А-5 указывается в этикетке.
На приборах в пластмассовом корпусе маркировка указывается на корпусе в сокращенном виде: 316А, 316Б, 316В, 316Г, 316Д.
Масса транзистора
не более 0,6 г в металлостеклянном корпусе,
не более 0,5 г в пластмассовом корпусе,
не более 0,002 г в кристалле.
Параметры и характеристики
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
