Описание
Транзисторы 2Т648А-2 кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n генераторные.
Предназначены для применения в генераторах и усилителях в диапазоне частот 1...12 ГГц в схеме с общей базой в составе гибридных интегральных микросхем.
Транзисторы 2Т648А-2, КТ648А-2 бескорпусные на кристаллодержателе с гибкими выводами.
На крышку транзистора наносится условная маркировка:
2Т648А-2 - две черные точки,
КТ648А-2 - знак ««» черного цвета.
Транзисторы 2Т648А-5, КТ648А-5 выпускаются в виде кристаллов с контактными площадками без кристаллодержателя и без выводов.
Тип прибора указывается на этикетке.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристалла не более 0,0001 г.
Параметры и характеристики
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
