Описание 2Т643А-2
2Т643А-2 транзистор кремниевый эпитаксиально-планарный структуры n-p-n генераторный, применяется в схеме с общей базой в усилителях мощности и генераторах в диапазоне частот 2...8 ГГц в составе гибридных интегральных микросхем, микросборках, обеспечивающих герметизацию и защиту транзисторов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Масса бескорпусного транзистора не более 0,2 г, кристалла не более 0,0001 г.
Параметры и характеристики 2Т643А-2
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
Uси - Напряжение сток-исток
Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
