Описание
Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные структуры n-p-n усилительные.
Предназначены для использования во входных и последующих каскадах усилителей высокой частоты.
Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.
Тип прибора указывается на металлическом корпусе.
Транзисторы в пластмассовом корпусе маркируются условным кодом:
КТ368АМ - двумя точками,
КТ368БМ - одной точкой.
Тип прибора в миниатюрном пластмассовом корпусе и в виде кристалла указывается в этикетке.
Масса транзистора не более 1 г,
Параметры и характеристики
• Uкбо max - Максимальное напряжение коллектор-база при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Uкэr max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном токе коллектора и заданном сопротивлении в цепи база-эмиттер
• Uкэо max - Максимальное напряжение коллектор-эмиттер при заданном обратном токе эмиттера и разомкнутой цепи коллектора
• Iк max - Максимально допустимый постоянный ток коллектора
• h21э - Статический коэффициент передачи тока транзистора для схем с общим эмиттером
• fгр - Граничная частота коэффициента передачи тока транзистора для схемы с общим эмиттером
• Рк max - Постоянная рассеиваемая мощность коллектора
• Uси - Напряжение сток-исток
• Iси max - Максимальное напряжение сток-исток
• Uзи max - Максимальное напряжение затвор-исток
• Pси max - Максимальная рассеиваемая мощность сток-исток
Технические характеристики транзисторов 2Т368А, 2Т368Б:
Тип
транзистора
|
Структура
|
Предельные значения параметров при Тп=25°С
|
Значения параметров при Тп=25°С
|
TП
max
|
Т
max
|
IК
max
|
IК. И.
max
|
UКЭR max
|
UКБ0 max
|
UЭБ0 max
|
РК max
|
h21э
|
UКЭ
нас.
|
IКБО
|
f гp.
|
КШ
|
СК
|
СЭ
|
|
мА
|
мА
|
В
|
В
|
В
|
мВт
|
|
В
|
мкА
|
МГц
|
дБ
|
пФ
|
пФ
|
°С
|
°С
|
|
2Т368А
|
n-p-n
|
30
|
60
|
15
|
15
|
4
|
225
|
50...300
|
-
|
0,5
|
900
|
3,3
|
1,7
|
3
|
150
|
-60…+125
|
|
2Т368Б
|
n-p-n
|
30
|
60
|
15
|
15
|
4
|
225
|
50...300
|
-
|
0,5
|
900
|
-
|
1,7
|
3
|
150
|
-60…+125
|
