Описание транзистор силовой ТКД165-100-2
К преимуществам транзистора силового ТКД165-100-2 относят возможность компоновки в одном корпусе силовых кристаллов, систем управления и датчиков, что значительно повышает как эффективность использования пространства, так и универсальность самого узла.
У ТКД165-100-2 силовые и управляющие выводы изолированы от металлического основания.
Также у силового модуля ТКД165-100-2 тепло от элементов отводится через керамический изолятор и металлическое основание.
Применяется ТКД165-100-2 в выпрямительных мостах, в регуляторах переменного тока, для управления двигателем постоянного тока, электротехнической аппаратуре.
Параметры и характеристики транзистор силовой ТКД165-100-2:
ТКД165-100-2
Транзистор силовой кремниевый эпитаксиально-мезапланарный.
Предназначен для применения в преобразователях, переключающих и усилительных устройствах, в системах управления электроприводом.
Максимально допустимый импульсный ток коллектора - 100А
Максимальное напряжение коллектор-база - 200В
Структура условного обозначения:
ТКД165-100-2-ХХХ:
ТКД - транзистор кремниевый;
1 - порядковый номер модификации конструкции;
6 - обозначение типоразмера;
5 - обозначение конструктивного исполнения корпуса;
100 - максимально допустимый импульсный ток коллектора, А;
2 - класс по максимальному напряжению коллектор-база, В;
Х - группа по напряжению насыщения;
Х - климатическое исполнение;
Х - категория размещения.
