Описание
Диоды 2А533А-3 полупроводниковые, сверх-высокочастотные, бескорпусные, кремниевые, планарные, поверхностно-ориентированные, переключательные.
Рабочим элементом диода является полупроводниковая структура типа p-i-n.
Предназначен для работы в составе гибридных интегральных схем специального назначения в диапазоне частот от 100 мГц до 18 ГГц, обеспечивающих герметизацию и защиту диодов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Предназначены для применения в переключающих устройствах, модуляторах, аттенюаторах СВЧ-диапазона длин волн в составе гибридных интегральных микросхем, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в бескорпусном исполнении с гибкими балочными выводами.
Тип диода приводится на вкладыше.
Указания по эксплуатации
Монтаж методом термокомпрессии на расстоянии не менее 0,05 мм от края кристалла или методом пайки с t° - 175 °C, время пайки не более 5 сек.
Допустимое значение статистического потенциала 100В.
Параметры и характеристики
Масса диода не более 0,001 г.
Содержание золота - 0,0149 мг.
Цветных металлов и их сплавов не содержится.
Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 2А533А-3, аА0.339.095 ТУ.
• Iпр макс, А - Максимальный прямой ток
• Uобр и макс, В - Максимальное импульсное обратное напряжение
• Iпр и макс, А - Максимальный импульсный прямой ток
• Uпр макс, В - Постоянное прямое напряжение
• fд макс, кГц - Максимальная рабочая частота
• Сд, пФ - Общая ёмкость
• Ioбp, мкА - Постоянный обратный ток
• Uoбp макс, В - Максимальное постоянное обратное напряжение
• tвoc обр, мкс - Время обратного восстановления
• Ioбp и макс, мА - Импульсный обратный ток
• Pрас, мВт - Непрерывная рассеиваемая мощность
• Мин наработка, ч - Минимальная наработка
• Тип диода - Тип СВЧ диода
• Pрас и, Вт - Импульсная рассеиваемая мощность
