Описание
Диоды 3А112А арсенидогаллиевые, планарно-эпитаксиальные, с барьером Шоттки, смесительные.
Предназначены для применения в преобразователях частоты сантиметрового диапазона длин волн в составе гибридных интегральных микросхем и микросборок, обеспечивающих герметизацию и защиту приборов от воздействия влаги, соляного тумана, плесневых грибов, инея и росы, пониженного и повышенного давления.
Выпускаются в стеклянном корпусе с жесткими выводами типа КД-1-3.
Диоды выпускаются подобранными в пары и четверки и обозначаются 3А112АР, 3А112АГ, АА112АР, АА112АГ.
Тип диода и схема соединения электродов с выводами приводятся на индивидуальной таре.
Отрицательный вывод диода - со стороны кристалла.
Пример записи условного обозначения при заказе и в конструкторской документации:
диод СВЧ 3А112А, ТТ3.336.023 ТУ,
диод СВЧ 3А112АР, 3А112АГ, ТТ3.336.023 ТУ/Д2,
диод СВЧ АА112А, ТТ3.360.066 ТУ.
Параметры и характеристики
Масса диода не более 0,035 г.
• Iпр макс, А - Максимальный прямой ток
• Uобр и макс, В - Максимальное импульсное обратное напряжение
• Iпр и макс, А - Максимальный импульсный прямой ток
• Uпр макс, В - Постоянное прямое напряжение
• fд макс, кГц - Максимальная рабочая частота
• Сд, пФ - Общая ёмкость
• Ioбp, мкА - Постоянный обратный ток
• Uoбp макс, В - Максимальное постоянное обратное напряжение
• tвoc обр, мкс - Время обратного восстановления
• Ioбp и макс, мА - Импульсный обратный ток
• Pрас, мВт - Непрерывная рассеиваемая мощность
• Мин наработка, ч - Минимальная наработка
• Тип диода - Тип СВЧ диода
• Pрас и, Вт - Импульсная рассеиваемая мощность
