Описание
Диоды 3А538А арсенидогаллиевые, эпитаксиальные, с барьером Шотки, СВЧ, импульсные, одиночные 3A538A и подобранные в пары 3A538AP.
Предназначены для применения в импульсных преобразователях с полосой частот до 25 ГГц.
Выпускаются в металлокерамическом корпусе с жесткими выводами.
Положительным (анодным) выводом служит крышка корпуса.
Тип диода приводится на групповой таре.
Подобранные для работы в парах диоды 3A538AP имеют парную упаковку внутри групповой тары.
Технические характеристики :
Диоды 3А538А арсенидогаллиевые, эпитаксиальные.
Iпр макс, А - Максимальный прямой ток.
Uобр и макс, В - Максимальное импульсное обратное напряжение.
Iпр и макс, А - Максимальный импульсный прямой ток.
Uпр макс, В - Постоянное прямое напряжение.
fд макс, кГц - Максимальная рабочая частота.
Сд, пФ - Общая ёмкость.
Ioбp, мкА - Постоянный обратный ток
Uoбp макс, В - Максимальное постоянное обратное напряжение
tвoc обр, мкс - Время обратного восстановления.
Ioбp и макс, мА - Импульсный обратный ток.
Pрас, мВт - Непрерывная рассеиваемая мощность.
Мин наработка, ч - Минимальная наработка.
Тип диода - Тип СВЧ диода.
Pрас и, Вт - Импульсная рассеиваемая мощность.
